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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1,2A; 0,83W; TO92


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-BS170
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     BS170
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de efecto de campo
Transistores de efecto de campo
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Fabricante: ONSEMI
Montaje: THT
Carcasa: TO92
Tensión drenaje-fuente: 60V
Corriente del drenaje: 0,5A
Resistencia en estado de transferencia: 5Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 0,83W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: a granel
Tecnología: DMOS
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 1,2A
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