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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 33A; Idm: 85A; 250W


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Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-B2M065120H
Fabricante:
     BASiC SEMICONDUCTOR
N.º fabricante:
     B2M065120H
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: BASiC SEMICONDUCTOR
Montaje: THT
Carcasa: TO247-3
Tensión drenaje-fuente: 1,2kV
Corriente del drenaje: 33A
Resistencia en estado de transferencia: 65mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 250W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 60nC
Tecnología: SiC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: -4...18V
Corriente del drenaje en impulso: 85A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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