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Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 32A; Idm: 128A


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 32A; Idm: 128A
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 32A; Idm: 128A
N.º art.:
     6Q9VB-APT5015BVRG
Fabricante:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N.º fabricante:
     APT5015BVRG
EAN/GTIN:
     Sin datos
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaje: THT
Carcasa: TO247-3
Tensión drenaje-fuente: 500V
Corriente del drenaje: 32A
Resistencia en estado de transferencia: 0,15Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 370W
Polarización: unipolar
Carga de puerta: 300nC
Tecnología: POWER MOS 5®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 128A
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.