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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; Idm: 124A; 624W; TO247-3


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; Idm: 124A; 624W; TO247-3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; Idm: 124A; 624W; TO247-3
N.º art.:
     6Q9VB-APT34F60B
Fabricante:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N.º fabricante:
     APT34F60B
EAN/GTIN:
     Sin datos
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaje: THT
Carcasa: TO247-3
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 23A
Resistencia en estado de transferencia: 0,19Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 624W
Polarización: unipolar
Carga de puerta: 165nC
Tecnología: POWER MOS 8®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 124A
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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