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Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 67A; Idm: 268A


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 67A; Idm: 268A
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 67A; Idm: 268A
N.º art.:
     6Q9VB-APT20M38BVRG
Fabricante:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N.º fabricante:
     APT20M38BVRG
EAN/GTIN:
     Sin datos
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaje: THT
Carcasa: TO247-3
Tensión drenaje-fuente: 200V
Corriente del drenaje: 67A
Resistencia en estado de transferencia: 38mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 370W
Polarización: unipolar
Carga de puerta: 225nC
Tecnología: POWER MOS 5®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 268A
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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