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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0,2A; 200mW; SC59


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Información de productos
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0,2A; 200mW; SC59
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0,2A; 200mW; SC59
N.º art.:
     6Q9VB-2SJ168
Fabricante:
     Toshiba
N.º fabricante:
     2SJ168(TE85L,F)
EAN/GTIN:
     Sin datos
Fabricante: TOSHIBA
Montaje: SMD
Carcasa: SC59
Tensión drenaje-fuente: -60V
Corriente del drenaje: -0,2A
Resistencia en estado de transferencia: 2Ω
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 0,2W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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