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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0,19A; Idm: 0,8A; 0,14W; SOT23


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0,19A; Idm: 0,8A; 0,14W; SOT23
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0,19A; Idm: 0,8A; 0,14W; SOT23
N.º art.:
     6Q9VB-2N7002K-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     2N7002K-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Diodos
Diodo
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: SOT23
Tensión drenaje-fuente: 60V
Corriente del drenaje: 0,19A
Resistencia en estado de transferencia: 2Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 0,14W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Propiedades de elementos semiconductores: ESD protected gate
Carga de puerta: 0,6nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 0,8A
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