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VISHAY IRFD024PBF Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en


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N.º art.:
     6368-9102345
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     IRFD024PBF
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.1 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 2.5 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor DIP Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60 V Disipación de Potencia 1.3 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Transistores, Transistor, mosfet de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, IRFD024PBF, 9102345, 910-2345
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