| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N.º art.: 6368-4217878 N.º fabricante: BSDW20G120C2 EAN/GTIN: Sin datos |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Configuración de Diodo Cátodo Común Gama de Producto - Cresta de Tensión Inversa Recurrente 1.2 kV Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Corriente Directa Promedio 20 A Montaje de Diodo Agujero Pasante Núm. de Pines 3 Pines Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023) Carga Capacitiva Total 22 nC Encapsulado del Diodo TO-247 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85411000 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Diodo de barrera Schottky, Diodos de barrera Schottky, diodos de barrera schottky, Carbure, Diodes, Discretos, Schottky, Semiconductores, silicium, BOURNS, BSDW20G120C2, 4217878, 421-7878 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |