| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N.º art.: 6368-4217876 N.º fabricante: BSDL10S65E6 EAN/GTIN: Sin datos |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Configuración de Diodo Único Gama de Producto - Cresta de Tensión Inversa Recurrente 650 V Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Corriente Directa Promedio 10 A Montaje de Diodo Montaje en superficie Núm. de Pines 5 Pines Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023) Carga Capacitiva Total 24 nC Encapsulado del Diodo DFN Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85411000 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Diodo de barrera Schottky, Diodos de barrera Schottky, diodos de barrera schottky, Carbure, Diodes, Discretos, Schottky, Semiconductores, silicium, BOURNS, BSDL10S65E6, 4217876, 421-7876 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |