ROHM RF4P025ATTCR MOSFET, P-CH, 100V, 2.5A, DFN2020

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.2 ohm Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Corriente de Drenaje Continua Id 2.5 A Encapsulado del Transistor DFN2020 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100 V Disipación de Potencia 2 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised