ONSEMI NTH4L028N170M1 MOSFET, SIC, 1.7KV, 81A, TO-247

Tensión de Prueba Rds(on) 20 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.028 ohm Gama de Producto - Número de Pines 4 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 81 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-247 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 1.7 kV Disipación de Potencia 535 W Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4.3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (14-Jun-2023)