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STARPOWER GD50FSX65L2S MàDULO IGBT, 650V, 89A, 258W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6368-4076252
Fabricante:
     STARPOWER
N.º fabricante:
     GD50FSX65L2S
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Gama de Producto - Tensión Colector-Emisor Máx 650 V Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Corriente de Colector Continua 89 A Encapsulado del Transistor Módulo Tensión de Saturación de Colector-Emisor 1.45 V Terminación IGBT Soldadura Disipación de Potencia 258 W Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Tecnología IGBT Zanja/Limitador de Campo Configuración IGBT Séxtuple Montaje de Transistor Módulo
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores, Transistor, transistor de potencia, Discretos, IGBT, Módulos, Semiconductores, STARPOWER, GD50FSX65L2S, 4076252, 407-6252
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