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| N.º art.:
6368-4014229 N.º fabricante:
UF3C065030K3S EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Tensión de Prueba Rds(on) 12 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.027 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Encapsulado del Transistor TO-247 Corriente de Drenaje Continua Id 85 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Tensión Drenador-Fuente (Vds) 650 V Disipación de Potencia 441 W Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
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| Otros conceptos de búsqueda: Diodo Schottky, Diodos Schottky, Diodo de barrera Schottky, Diodos de barrera Schottky, transistor de potencia, (SiC), Carbide, Discretos, Módulos, MOSFET, MOSFETs, Semiconductores, Silicon, Transistors, QORVO, UF3C065030K3S, 4014229, 401-4229 |
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