DIODES INC. DMN2450UFB4-7B MOSFET, CANAL N, 20V, 1A, X2-DFN1006

Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.3 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 1 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor X2-DFN1006 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20 V Disipación de Potencia 500 mW Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 900 mV Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)