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| N.º art.: 6368-3929811 N.º fabricante: NXH40B120MNQ1SNG EAN/GTIN: Sin datos |
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| Tensión de Prueba Rds(on) 20 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.04 ohm Gama de Producto - Número de Pines 32 Pines Configuración de Módulo MOSFET Pack Triple Tipo de Canal Tres Canales N Corriente de Drenaje Continua Id 44 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor Module Tensión Drenador-Fuente (Vds) 1.2 kV Disipación de Potencia 156 W Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (14-Jun-2023) Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
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| Otros conceptos de búsqueda: Módulo de contactos, Módulos de insertos de contactos, Transistor de potencia, Transistores de potencia, MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Transistores, Transistor, módulos de contactos, (SiC), Carbide, Discretos, Módulos, MOSFETs, Semiconductores, Silicon, Transistors, ONSEMI, NXH40B120MNQ1SNG, 3929811, 392-9811 |
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