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| N.º art.: 6368-3929810 N.º fabricante: NXH40B120MNQ0SNG EAN/GTIN: Sin datos |
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| Tensión de Prueba Rds(on) 20 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.04 ohm Gama de Producto - Número de Pines 22 Pines Configuración de Módulo MOSFET Pack Doble Tipo de Canal Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id 38 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor Module Tensión Drenador-Fuente (Vds) 1.2 kV Disipación de Potencia 118 W Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
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| Otros conceptos de búsqueda: Módulo de contactos, Módulos de insertos de contactos, Transistor de potencia, Transistores de potencia, MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Transistores, Transistor, módulos de contactos, (SiC), Carbide, Discretos, Módulos, MOSFETs, Semiconductores, Silicon, Transistors, ONSEMI, NXH40B120MNQ0SNG, 3929810, 392-9810 |
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