N.º art.: 6368-3879339
N.º fabricante: SI2312CDS-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0265 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 6 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-23 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20 V Disipación de Potencia 1.25 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 450 mV Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)
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Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: MOSFET ,
Transistor MOSFET ,
Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
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Discretos ,
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SI2312CDS-T1-GE3 ,
3879339 ,
387-9339
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