VISHAY SIHG026N60EF-GE3 MOSFET, CANAL N, 600V, 95A, TO-247AC

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.023 ohm Gama de Producto EF Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 95 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-247AC Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 521 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)