N.º art.: 6368-3772887
N.º fabricante: SUD50P10-43L-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.036 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 36.4 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-252 (DPAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100 V Disipación de Potencia 113.6 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (10-Jun-2022)
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Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
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Semiconductores ,
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Transistors ,
VISHAY ,
SUD50P10-43L-GE3 ,
3772887 ,
377-2887
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