N.º art.: 6368-3765833
N.º fabricante: SIHP21N80AEF-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022) Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.22 ohm Gama de Producto EF Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 16.3 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-220AB Tensión Drenador-Fuente (Vds) 800 V Disipación de Potencia 179 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistores ,
Transistor ,
transistor de potencia ,
Discretos ,
MOSFETs ,
Semiconductores ,
Simple ,
Transistors ,
VISHAY ,
SIHP21N80AEF-GE3 ,
3765833 ,
376-5833
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