N.º art.: 6368-3586083
N.º fabricante: SIHA15N80AE-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.304 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 6 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-220FP Tensión Drenador-Fuente (Vds) 800 V Disipación de Potencia 33 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (19-Jan-2021)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistores ,
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Discretos ,
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VISHAY ,
SIHA15N80AE-GE3 ,
3586083 ,
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