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| N.º art.: 6368-3586074 N.º fabricante: SISS52DN-T1-GE3 EAN/GTIN: Sin datos |
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| Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 950 µohm Gama de Producto TrenchFET Gen V Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 162 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK 1212-8S Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 57 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (10-Jun-2022) Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
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| Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SISS52DN-T1-GE3, 3586074, 358-6074 |
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