NEXPERIA NX5008NBKHH MOSFET, CANAL N, 50V, 0.35A, DFN0606

Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 2 ohm Gama de Producto Trench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 350 mA Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor DFN0606 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 50 V Disipación de Potencia 380 mW Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 700 mV Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)