NEXPERIA BSH205G2AR MOSFET, CANAL P, 20V, 2.6A, TO-236AB

Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.097 ohm Gama de Producto Trench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 2.6 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-236AB Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20 V Disipación de Potencia 610 mW Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 650 mV Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)