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INFINEON IMBG120R030M1HXTMA1 SIC MOSFET, SIMPLE, CANAL N, 1.2KV, 56A


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N.º art.:
     6368-3582461
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IMBG120R030M1HXTMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 18 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.03 ohm Gama de Producto CoolSiC Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 7 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 56 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 1.2 kV Disipación de Potencia 300 W Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, (SiC), Carbide, Discretos, Módulos, MOSFETs, Semiconductores, Silicon, Transistors, INFINEON, IMBG120R030M1HXTMA1, 3582461, 358-2461
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Accesorios
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Accesorios
Driver de puerta MOSFET 1ED3241MC12HXUMA1, CMOS 18 A PG-DSO-8-66 8 pines
Infineon
1ED3241MC12HXUMA1
a partir de € 1,734*
Accesorios
Módulo controlador de puerta 1ED3125MU12FXUMA1, CMOS 10 A PG-DSO-8 8 pines
Infineon
1ED3125MU12FXUMA1
a partir de € 0,974*
Accesorios
Módulo controlador de puerta 1ED3491MC12MXUMA1, 9 A PG-DSO-16 16 pines
Infineon
1ED3491MC12MXUMA1
a partir de € 3,089*
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