N.º art.: 6368-3577032
N.º fabricante: 2N7002E-7-F
EAN/GTIN: Sin datos
Disipación de Potencia 370 mW Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.6 ohm Gama de Producto 2N7002E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 250 mA Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-23 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60 V
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Customs tariff number:
85412100
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Transistor MOSFET ,
Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
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Semiconductores ,
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2N7002E-7-F ,
3577032 ,
357-7032
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