ONSEMI NVBG080N120SC1 MOSFET, CANAL N, 1.2KV, 30A, TO-263HV

Tensión de Prueba Rds(on) 20 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.08 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 7 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 30 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-263HV (D2PAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 1.2 kV Disipación de Potencia 179 W Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (14-Jun-2023)