N.º art.: 6368-3470729
N.º fabricante: SIHG80N60E-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.026 ohm Gama de Producto E Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 80 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-247AC Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 520 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (19-Jan-2021)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistores ,
Transistor ,
transistor de potencia ,
Discretos ,
MOSFETs ,
Semiconductores ,
Simple ,
Transistors ,
VISHAY ,
SIHG80N60E-GE3 ,
3470729 ,
347-0729
Ofertas (2)
Plazo de entrega máx. 1 día máx. 3 días máx. 5 días máx. 10 días
Stock en almacén
Envío
Almacén 6368
€ 14,99*
a partir de € 8,32*
€ 13,97*
€ 7,90*
a partir de € 9,91*
€ 19,20*
Precios: Almacén 6368
Cantidad de pedido
Neto
Bruto
Unidad
a partir de 3000 unidades
Stock en almacén: Almacén 6368
Envío: Almacén 6368
Valor de pedido
Envío
a partir de € 0,00*
€ 14,99*
a partir de € 85,00*
Envío gratuito
Derechos de devolución para este artículo: Almacén 6368
Este artículo está excluido de cancelación, cambio o devolución. El plazo de garantía según las CGC persiste independientemente de los derechos de devolución indicados.
