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| N.º art.: 6368-3368860 N.º fabricante: NVJS4151PT1G EAN/GTIN: Sin datos |
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| Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.055 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 3.2 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-363 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20 V Disipación de Potencia 1.2 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (14-Jun-2023) Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
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| Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ONSEMI, NVJS4151PT1G, 3368860, 336-8860 |
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