N.º art.: 6368-3368724
N.º fabricante: FDB120N10
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0097 ohm Gama de Producto PowerTrench Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 74 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100 V Disipación de Potencia 170 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (14-Jun-2023)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
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Discretos ,
MOSFETs ,
Semiconductores ,
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FDB120N10 ,
3368724 ,
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