NEXPERIA PMV30XPAR MOSFET, CANAL P, 20V, 4.9A, 175°C, 0.61W

Tensión de Prueba Rds(on) 8 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.025 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 4.9 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor SOT-23 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20 V Disipación de Potencia 610 mW Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 950 mV Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)