N.º art.: 6368-3236773
N.º fabricante: NVMYS7D3N04CLTWG
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0061 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 52 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor LFPAK Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40 V Disipación de Potencia 38 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (14-Jun-2023)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
transistor de potencia ,
Discretos ,
MOSFETs ,
Semiconductores ,
Simple ,
Transistors ,
ONSEMI ,
NVMYS7D3N04CLTWG ,
3236773 ,
323-6773
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