ONSEMI NVMJS2D5N06CLTWG SINGLE MOSFET TRANSISTORS

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.002 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 164 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor LFPAK Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60 V Disipación de Potencia 113 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (14-Jun-2023)