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STMICROELECTRONICS STD25N10F7 MOSFET, CANAL P, 100V, 25A, 40W, TO-252


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N.º art.:
     6368-3129879
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STD25N10F7
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.027 ohm Gama de Producto STripFET VII DeepGATE Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 25 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-252 (DPAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100 V Disipación de Potencia 40 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2019)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, STMICROELECTRONICS, STD25N10F7, 3129879, 312-9879
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