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DIODES INC. DMN1019USN-13 MOSFET, CANAL N, 12V, 9.3A, SC-59


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N.º art.:
     6368-3127324
Fabricante:
     Diodes
N.º fabricante:
     DMN1019USN-13
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.007 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 9.3 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SC-59 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 12 V Disipación de Potencia 680 mW Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 530 mV Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, DIODES INC., DMN1019USN-13, 3127324, 312-7324
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