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| N.º art.: 6368-3019151 N.º fabricante: SIZF920DT-T1-GE3 EAN/GTIN: Sin datos |
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| Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 197 A Gama de Producto TrenchFET Gen IV SkyFET Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 197 A Tipo de Canal Canal N Disipación de Potencia Canal N 74 W Disipación de Potencia Canal P 74 W Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor PowerPAIR Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (19-Jan-2021) Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
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| Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, Double, MOSFETs, Semiconductores, Transistors, VISHAY, SIZF920DT-T1-GE3, 3019151, 301-9151 |
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