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VISHAY SIJA58ADP-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 109A, 40V, POWERPAK SO


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N.º art.:
     6368-3019107
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIJA58ADP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (19-Jan-2021) Disipación de Potencia 56.8 W Calificación - Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0022 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 109 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK SO Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40 V
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, transistor smd, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SIJA58ADP-T1-GE3, 3019107, 301-9107
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