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VISHAY SIHB180N60E-GE3 MOSFET, CANAL N, 19A, 600V, TO-263


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N.º art.:
     6368-3019077
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHB180N60E-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.155 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 19 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 50 °C Encapsulado del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 156 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (19-Jan-2021)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, transistor smd, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SIHB180N60E-GE3, 3019077, 301-9077
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