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ROHM R6009JND3TL1 MOSFET, CANAL N, 9A, 600V, TO-252


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Información de productos
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N.º art.:
     6368-3018860
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     R6009JND3TL1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 15 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.45 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 9 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-252 (DPAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 125 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 6 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ROHM, R6009JND3TL1, 3018860, 301-8860
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