ROHM R6006JNJGTL MOSFET, CANAL N, 6A, 600V, TO-263S

Tensión de Prueba Rds(on) 15 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.72 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 6 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-263S Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 86 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 6 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (17-Jan-2023)