VISHAY SQ3987EV-T1_GE3 MOSFET, AEC-Q101, DUAL P-CH, -30V, -3A

Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 3 A Gama de Producto TrenchFET Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 3 A Tipo de Canal Canal P Disipación de Potencia Canal N 1.67 W Disipación de Potencia Canal P 1.67 W Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TSOP Calificación AEC-Q101 Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)