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VISHAY SIHA22N60AE-GE3 MOSFET, CANAL N, 600V, 20A, 150°C, 33W


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N.º art.:
     6368-2932909
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHA22N60AE-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.156 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 20 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-220FP Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 33 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (19-Jan-2021)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SIHA22N60AE-GE3, 2932909, 293-2909
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