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VISHAY SI3473DDV-T1-GE3 MOSFET, CANAL P, -12V, -8A, 150°C, 3.6W


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N.º art.:
     6368-2932887
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI3473DDV-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0145 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen III Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 8 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TSOP Tensión Drenador-Fuente (Vds) 12 V Disipación de Potencia 3.6 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SI3473DDV-T1-GE3, 2932887, 293-2887
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