N.º art.: 6368-2889707
N.º fabricante: SQ2301ES-T1_GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.08 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 3.9 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor SOT-23 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20 V Disipación de Potencia 3 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised
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Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
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Semiconductores ,
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SQ2301ES-T1_GE3 ,
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288-9707
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