N.º art.: 6368-2886990
N.º fabricante: SQJ481EP-T1_GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0651 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 16 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK SO Tensión Drenador-Fuente (Vds) 80 V Disipación de Potencia 45 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
transistor de potencia ,
Discretos ,
MOSFETs ,
Semiconductores ,
Simple ,
Transistors ,
VISHAY ,
SQJ481EP-T1_GE3 ,
2886990 ,
288-6990
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