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STMICROELECTRONICS A2P75S12M3-F IGBT, MàDULO, CANAL N, 1.2KV, 75A


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Información de productos
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N.º art.:
     6368-2832458
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     A2P75S12M3-F
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Gama de Producto ACEPACK 2 M Tensión Colector-Emisor Máx 1.2 kV Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Corriente de Colector Continua 75 A Encapsulado del Transistor Módulo Terminación IGBT Encaje a Presión Tensión de Saturación de Colector-Emisor 1.95 V Disipación de Potencia 454.5 W Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Tecnología IGBT Zanja/Limitador de Campo Montaje de Transistor Panel Configuración IGBT Paquete Séxtuple [Puente Completo]
Más información:
Customs tariff number:
85415000
Otros conceptos de búsqueda: Transistores, Transistor, transistor de potencia, Discretos, IGBT, Módulos, Semiconductores, STMICROELECTRONICS, A2P75S12M3-F, 2832458, 283-2458
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