N.º art.: 6368-2802799
N.º fabricante: SIZ998DT-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 60 A Gama de Producto TrenchFET Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 60 A Tipo de Canal Canal N + Schottky Disipación de Potencia Canal N 32.9 W Disipación de Potencia Canal P 32.9 W Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor PowerPAIR Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (19-Jan-2021)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
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Transistores ,
Transistor ,
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SIZ998DT-T1-GE3 ,
2802799 ,
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