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INFINEON IPB120N04S401ATMA1 MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 40V, TO-263


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N.º art.:
     6368-2781067
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IPB120N04S401ATMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.00135 ohm Gama de Producto OptiMOS T2 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Corriente de Drenaje Continua Id 120 A Encapsulado del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40 V Disipación de Potencia 188 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, INFINEON, IPB120N04S401ATMA1, 2781067, 278-1067
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