N.º art.: 6368-2677425
N.º fabricante: 1N5822
EAN/GTIN: Sin datos
Configuración de Diodo Único Sobrecorriente Directa 80 A Gama de Producto 1N5820 Temperatura de Funcionamiento Máx. 125 °C Cresta de Tensión Inversa Recurrente 40 V Corriente Directa Promedio 3 A Tensión Directa Máxima 950 mV Montaje de Diodo Agujero Pasante Número de Pines 2 Pines Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023) Encapsulado del Diodo DO-201AD
Más información:
Customs tariff number:
85411000
Otros conceptos de búsqueda: Diodo Schottky ,
Diodos Schottky ,
Diodo de barrera Schottky ,
Diodos de barrera Schottky ,
diodos de barrera schottky ,
Diodes ,
Discretos ,
redressement ,
Schottky ,
Semiconductores ,
TAIWAN SEMICONDUCTOR ,
1N5822 ,
2677425 ,
267-7425
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